#24-17Eignung aluminiumbasierter Schichten als Ätzmasken für das reaktive Ionenätzen

Addressed topics: MEMS, Micro- and Nanoelectronics, Nano technology

Student research project  

Ziel der Arbeit ist, aluminiumbasierte Schichten zur Verwendung während des reaktiven Ionenätzens zu untersuchen. Wegen ihres geringeren Abtrags im Vergleich zu üblicherweise als Maskierung eingesetzten Stoffen wie Fotolack oder Siliziumdioxid werden längere und damit tiefere Ätzungen ermöglicht. Zum Einsatz können z. B. Schichten aus Aluminium, Aluminiumoxid, Aluminiumnitrid oder anderen Aluminiumverbindungen kommen. Die Untersuchungen sollen am Beispiel des tiefen Siliziumätzens (DRIE) erfolgen. Besonderes Augenmerk soll auf die Qualität des Ätzgrunds gerichtet werden. Zum Einstieg in die einschlägige Literatur kann [1-] herangezogen werden.

Aufgabenstellung

1. Literaturrecherche zum Thema
2. Vermessung bzw. Charakterisierung der Maskenschichten vor und nach den Ätzversuchen
3. Durchführung der Messungen am Ellipsometer und Profilometer
4. Untersuchung der Ätztiefen und -profile mit unterschiedlichen Meßmethoden z.B. Oberflächenprofilometrie, Fokusdifferenzmethode am Lichtmikroskop
5. Auswertung der Ergebnisse, Vergleich der Maskenmaterialien

[1] A. Bagolini, P. Scauso, S. Sanguinetti, and P. Bellutti, “Silicon Deep Reactive Ion Etching with aluminum hard mask”, Materials Research Express, Bd. 6, H. 8, Art. 085913, Mai 2019.

[2] M.Drost, S. Marschmeyer, M. Fraschke, O. Fursenko, F. Bärwolf, I. Costina, M. K. Mahadevaiah, M. Lisker, “Etch mechanism of an Al2O3 hard mask in the Bosch process”, Micro and Nano Engineering, Bd. 14, Art. 100102, April 2022

[3] M. D. Henry, T. R. Young, and B. Griffin, “ScAlN etch mask for highly selective silicon etching” , Journal of Vacuum Science & Technology B, Bd. 35, H. 5, Art. 052001, Sep. 2017.

Art der Arbeit: Projektarbeit

Contact

Dipl.-Ing. Küchler, (P169)
0371 531 35836, 0371 45001 487
matthias.kuechler@…