Center for Micro and Nano Technologies
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Center for Micro and Nano Technologies 

#24-16Fluorkohlenstofffreies Siliziumätzen mit Schwefelhexafluorid und Sauerstoff

Addressed topics: MEMS, Micro- and Nanoelectronics, Nano technology

Student research project  

Ziel der Arbeit ist, mit Plasmaätzverfahren Gruben mit vertikalen Wänden in einkristallinem Silizium zu ätzen. Im Sinne einer Verbesserung des Umwelt- und Klimaschutzes dürfen hierfür keine fluorkohlenstoffhaltigen Prozeßgase zum Einsatz kommen. Eine Möglichkeit der Umsetzung dieser Aufgabe wurde von Nguyen u. a. gezeigt [1–4].

Aufgabenstellung

  1. Literaturrecherche zum Thema
  2. Vermessung bzw. Charakterisierung vor und nach den Ätzversuchen
  3. Übertragung eines in der Literatur beschriebenen und geeigneten Ätzprozesses auf die Gegebenheiten am ZfM
  4. Versuchsplan aufstellen
  5. Durchführung der Ätzversuche
  6. Untersuchung der Ätztiefen und -profile mit unterschiedlichen Meßmethoden z.B. Oberflächenprofilometrie, Fokusdifferenzmethode am Lichtmikroskop
  7. Auswertung der Ergebnisse

[1] V. T. H. Nguyen et al. , “The CORE Sequence: A Nanoscale Fluorocarbon-Free Silicon Plasma Etch Process Based on SF6/O2 Cycles with Excellent 3D Profile Control at Room Temperature”, ECS Journal of Solid State Science and Technology , Bd. 9, H. 2, Art. 24002, Jan. 2020.

[2] V. T. H. Nguyen, E. Shkondin, F. Jensen, J. Hübner, P. Leussink, and H. Jansen, “Ultrahigh aspect ratio etching of silicon in SF6-O2 plasma: The clear-oxidize-remove-etch (CORE) sequence and chromium mask”, Journal of Vacuum Science & Technology A , Bd. 38, H. 5, Art. 53002, Sep. 2020.

[3] V. T. H. Nguyen, F. Jensen, J. Hübner, P. Leussink, and H. Jansen, “On the formation of black silicon in SF6-O2 plasma: The clear, oxidize, remove, and etch (CORE) sequence and black silicon on demand”, Journal of Vacuum Science & Technology A , Bd. 38, H. 4, Art. 43004, Jul. 2020.

[4] V. T. H. Nguyen, “Directional Nanoscale Silicon Etching using SF6 and O2 Plasma,” Diss., Dänemarks Technische Universität, 2020.

Art der Arbeit: Projektarbeit

Contact

Dipl.-Ing. Küchler, (P169)
0371 531 35836, 0371 45001 487

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