#24-15Untersuchung der Selektivität zwischen SiO2 und Si3N4 beim Trockenätzen in Abhängigkeit des F/C-Verhältnisses

Addressed topics: MEMS, Nano technology

Student research project  

Im Rahmen dieser Arbeit sollen Trockenätzversuche an SiO2 und Si3N4 auf Waferlevel durchgeführt, Versuchsparameter hinsichtlich Selektivität variiert und die Ergebnisse ausgewertet werden. Konkret soll eine Selektivität von mindestens 1:30 zwischen SiO2 und Si3N4 erreicht werden, indem das F/C-Verhältnis eingestellt wird. Praktisch wird dieses Verhältnis über den Gasfluss der Prozessgase (CHF3, CF4) bestimmt. Die Experimente werden an SiO2 und Si3N4 Schichten sowie SiO2/Si3N4 Stapeln auf Si-Wafern durchgeführt.

Zu den Aufgaben zählen:

• Literaturrecherche (Trockenätzen/RIE, F/C-Verhältnis, SiO2/SiN Ätzmechanismen, …)
• Versuchsplanung
• Versuchsdurchführung an der Ätzanlage
• Charakterisierung an Messgeräten (Mikroskop, Profilometer, REM, …)
• Auswertung und Präsentation der Ergebnisse Die praktischen Versuche werden im Reinraum durchgeführt.

Literatur:

[1] Journal of Vacuum Science & Technology A 17, 26 (1999); https://doi.org/10.1116/1.582108

[2] J. Vac. Sci. Technol. A 38, 050803 (2020); https://doi.org/10.1116/6.0000395

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Nils Dittmar
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