SAB: Fab-kompatibler additiver Halbleiterprozess (engl. CNT-on-Insulator COI)

In dem Projekt wird ein innovativer additiver Halbleiterprozess basierend auf halbleitenden Kohlenstoffnanoröhren (engl. CNTs) im Rahmen von industriell standardisierten Waferprozessen validiert. In der F&E zu neuen Materialien für höchst innovative Sensorik, fortschrittliche Nanoelektronik und flexible Elektronik wurden mit halbleitenden CNTs herausragende Ergebnisse erreicht, die konventionelle Halbleitermaterialien wie Si und GaAs an Performance übertreffen können. Während letztere Halbleitermaterialien mit ressourcenintensiven Bulktechnologien und subtraktiven Verfahren integriert werden, erlaubt die CNT-Nanotechnologie eine additive Integration und Reduktion des Materialaufwandes auf 1/10 000. Die Materialvorteile wurden weltweit bereits in vielen wegweisenden Forschungsstudien von alternativen Computertechnologien bis hin zu flexibler Elektronik gezeigt. Industriell finden bereits Anwendungen in den Markt wie extrem energiesparsamen nichtflüchtige Speicher, Gassensoren für VOCs sowie Biosensoren. Auch wenn ein enormes Marktpotential besteht, mangelt es an einer Etablierung in den mikrotechnologischen Fertigungsketten. Dieses Projekt greift daher einen entsprechenden Schlüsselprozess auf mit der Bereitstellung von neuen Substraten für CNT-Halbleiter Anwendungen. Die Prozesse werden hinsichtlich Homogenität, Reproduzierbarkeit, Batch-Fähigkeit sowie Industriekompatibilität validiert. Die Qualifizierung erfolgt über die Weiterverarbeitung auf industriekompatiblem Wafer-level zu CNT-basierten Feld-Effekt Transistoren, die gleichzeitig als kleinste funktionelle Entität vielfältiger Anwendungen fungieren.

Diese Maßnahme wird aus Mitteln der Europäischen Union unterstützt und mitfinanziert durch Steuermitteln auf der Grundlage des vom Sächsischen Landtag beschlossenen Haushaltes.