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Center for Micro and Nano Technologies
Project Details
Center for Micro and Nano Technologies 

Horizon-Europe KDT-JU, BMBF: All2GaN_ Affordable smart GaN IC solutions for greener applications


Jan Albrecht, Anu Mathew
Prof. Dr. Harald Kuhn
Infineon AT, Infineon AG, Heraeus, CWM, Fronius, TU Delft, SAL, Fhg IMWS, Fhg IZM, Nexperia, CE-LAB, nanowired, nanodesign, Imec, Premium, Chalmers..
01.05.2023 to 31.10.2026

Das ALL2GaN Projekt befasst sich mit dem Konzept einer intelligenten GaN-„Integrations-Toolbox“, die durch intensive begleitende Forschung unterstützt wird. Diese Integrations-Toolbox bietet neue Lösungen und umfasst Forschung & Entwicklung & Innovation-Aktivitäten in den folgenden Bereichen:

- Neueste Leistungs- und HF-GaN-Technologien für verschiedene Spannungsklassen, einschließlich eines modularen Satzes von in System-on-Chip integrierten Funktionen wie Strommessung, Schutz, Gate-Ansteuerung und Halbbrückenkonfiguration

- Zudem gibt es neueste Packagingtechnologien, welche die spezifischen Anforderungen des GaN-Materialstacks unterstützen, beispielsweise extrem hohe Leistungsdichten durch neue Ansätze für das Wärmemanagement. Diese Technologien stehen auf folgenden Integrationsstufen zur Verfügung:

  • System-on-Chip (SoC): geeignet für miniaturisierte Anwendungen mit geringem Leistungsbedarf, beispielsweise Schnellladegeräte für Mobilgeräte
  • System-in-Package (SiP): geeignet für Anwendungen mit mittlerem Leistungsbedarf, beispielsweise Stromversorgungen mit weniger als 3 kW
  • System-in-Module (SiM): geeignet für Anwendungen mit höherem Leistungsbedarf, beispielsweise PV-Wechselrichter mit bis zu 10 kW
  • System-in-Board (SiB): geeignet für eine optimale Kontrolle systemparasitärer Effekte im MHz-Bereich

Es wird außerdem Forschung zu Zuverlässigkeit und Robustheit betrieben, um den nachhaltigen Einsatz aller Halbleiter- und Gehäusekombinationen in Kommunikations-, Mobilitäts- und Energieanwendungen sicherzustellen.