SAB: CoolTrans: Energieeffiziente Anwendungen – Stressoren zur Erhöhung der Ladungsträgerbeweglichkeit in CMOS - Bauelementen

Energieeffiziente Anwendungen - Stressoren zur Erhöhung der Ladungsträgerbeweglichkeit in CMOS - Bauelementen Teilthema "Materialevaluierung und Simulation zum Stresseintrag" Zur Erhöhung der Geschwindigkeit von CMOS-Bauelementen muss die Ladungsträger-beweglichkeit im Transistorkanal erhöht werden. Dazu können gezielt mechanische Spannungen in den Halbleiter eingebracht werden. Gegenwärtig geschieht dies z. B. durch Dotieren mit Germanium in den S/D-Gebieten, was Druckspannungen hervorruft. Diese wirken sich aber nur positiv auf die Löcherbeweglichkeit in p-MOS-Transistoren aus. Für n-MOS-Bauelemente sind Zugspannungen erforderlich. Dielektrische Stressor-Schichten stellen eine weitere, effektive Möglichkeit dar, die Geschwindigkeit von p-MOS-Transistoren aber auch von n-MOS-Transistoren zu erhöhen. Es sollen Herstellungsprozesse für dielektrische Stressoren basierend auf alternativen Stressoren, z. B. Si3N4, SiC:H oder DLC (diamond-like carbon) entwickelt werden sowie Simulationen des Einflusses der Stressorschichten und der Transistorgeometrie auf die Performance der Transistoren durchgeführt werden.